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清洗貫穿整個(gè)半導(dǎo)體制造。半導(dǎo)體的清洗幾乎貫穿整個(gè)半導(dǎo)體的流程。從硅片制造時(shí)需要對拋光好的硅晶圓進(jìn)行清洗，去除表面的污染物，到芯片制備中去除光刻膠、濕法刻蝕、CVD 等，再到最后的材料質(zhì)檢。每一個(gè)環(huán)節(jié)都需要清洗以保證下一步不受雜質(zhì)的干擾，保持產(chǎn)品的良率。同時(shí)隨著芯片制程的不斷縮小，所需要的進(jìn)行的清洗次數(shù)也就越來越多。據(jù)統(tǒng)計(jì)，清洗工藝的次數(shù)占到了在整個(gè)芯片制造工藝步驟的三分之一，是芯片制造的重要環(huán)節(jié)。

裝配間除零部件間的配合公差是極重要的參數(shù)，是直接影響真空泵性能的。前已分析過零件的精度和配合不好將會(huì)出現(xiàn)的毛底。

對真空容器殼體及內(nèi)部零件材抖的要求有以下幾點(diǎn)。

真空的獲得是真空技術(shù)的主要組成部分，借助于多種方法，可在被抽容器中獲得一定的真空度.目前可獲得的真空度范圍相當(dāng)寬，從100kPa到10-11Pa,就電光源工業(yè)來說，也要從100kPa到10-4Pa。